在日常生活中，电器开关是再熟悉不过的零部件。然而，在这个看似不起眼的小部件里却有着大学问。绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为当前电力电子最重要的大功率主流器件之一，主要应用在开关上。该器件是在双极型晶体管和绝缘栅型场效应晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件。它具有功率输入阻抗高、控制功率孝易于驱动等一系列显著优点。目前IGBT已广泛应用于工业控制、消费电子、计算机、汽车电子等领域。尤其在新能源和智能电网的应用中，IGBT作为变频器、逆变器的核心部件，影响着电网的整体运行，未来市场需求十分巨大。

　　在国家知识产权局专利局审查业务管理部组织下，由国家知识产权局专利局电学发明审查部完成的《功率半导体器件专利分析报告IGBT技术分支专利分析》（下称《报告》）显示，我国虽然进入IGBT的设计制造时间较短，但目前已成为第四大专利原创国，积累了一定数量的专利，对未来中国企业的国际竞争奠定了基矗但值得注意的是，国内企业不重视全球专利布局、发明专利申请偏少、专利技术转化率低等问题依然突出。

　　在日、美等国家长期占据IGBT领域霸主地位的背景下，国内企业该如何突围？有关专家表示，企业除了继续加大专利技术储备，重视专利布局之外，还应加强产学研合作，尽早成立以企业为主体的产学研合作研发中心。与此同时，政府应充分发挥引导作用，使产业需要与技术创新实现有效衔接，最大程度发挥专利的市场价值，从而帮助企业逐步提高国际竞争力。

　　巨大需求催生市场国内申请快速增长

　　记者在采访中了解到，IGBT的应用领域十分宽广。在汽车领域，IGBT已经替代达林顿管成为汽车点火器的首选器件。在计算机和网络通信领域，其主要应用于大功率服务器和基站中。在新能源和智能电网的应用中，成为变频器、逆变器的核心部件。同时，我国轨道交通、智能电网以及变频家电的广泛应用使得IGBT的需求持续上涨，对未来需求量的预期也保持在较高水平。

　　据iSuppli公司发布的研究数据显示，中国IGBT市场未来几年将快速增长，销售额将从2011年的11.1亿美元上升到2016年的17亿美元。预计到2015年，全球大功率电力电子市场增长的40%至50%将来自中国。庞大的市场需求、政策激励以及研发投入的增加，再加上企业对知识产权重视程度的提高，共同促进了IGBT专利申请量的持续增长。国家知识产权局2012年度专利分析普及推广项目IGBT课题组车晓璐在接受中国知识产权报记者采访时说。

　　《报告》显示，中国在1993年才有了该领域第一件专利申请，此后，年专利申请量几乎都在1至2件左右。直到2006年，专利申请量有了明显提高，达到10件。而在接下来的几年时间里，专利申请量持续攀升，2007年至2010年，年专利申请量分别为17件、35件、44件、72件。

　　我国进入IGBT行业的时间不长，与日本、美国等从1980年即开始有相关申请相比，时间上相距甚远，但我们用了不到20年的时间，已经积累了一定的专利申请量。课题组组长王兴妍表示，近5年国内申请量占我国申请总量的比例要远远高于其他国家和地区，这反映出我国IG鄄BT行业创新活跃，正处于技术的上升期，专利申请量可能会继续保持上升势头。